InAs
InAs-enkele kristallen kunnen dienen als substraten voor de groei van InAsSb/nAsPSb-, InNAsSb-, heterojunctie- en InAs/GaSb-superroosterstructuren. Deze structuren kunnen worden gebruikt om midden-infrarode kwantumcascadelasers en infraroodlichtgevende apparaten te creëren met golflengten tussen 2 en 14 μm. Deze infraroodapparaten hebben een goede kans om gebruikt te worden bij verliesarme glasvezelcommunicatie en gasmonitoring. Bovendien zijn InAs-monokristallen een perfect materiaal voor Hall-apparaten vanwege hun elektronenmobiliteit.
|
Algemene SPECS |
|||||||
|
Maat |
2" |
3" |
4" |
||||
|
Oriëntatie |
(100)±0,1 graad |
(100)±0,1 graad |
(100)±0,1 graad |
||||
|
Diameter (mm) |
50.5±0.5 |
76.2±0.4 |
100.0±0.5 |
||||
|
VAN Oriëntatie |
EJ |
EJ |
EJ |
||||
|
Tolerantie |
±0.1 graad |
±0.1 graad |
±0.1 graad |
||||
|
VAN Lengte (mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2.5 |
||||
|
ALS Lengte (mm) |
8±1 |
11±1 |
18±1 |
||||
|
Dikte (μm) |
500±25 |
625±25 |
1000±25 |
||||
|
De maat kan worden aangepast. |
|||||||
|
Geleidbaarheid en doteermiddel |
|||||||
|
Doteringsmiddel |
Geleidbaarheidstype |
CC/cm-2 |
Mobiliteit/cm²V-1S-1 |
Dislocatiedichtheid/ cm-2 |
|||
|
Ongedoteerd |
p-type |
(1~3)x10-18 |
>2000 |
2",3",4" Kleiner dan of gelijk aan 1000 |
|||
|
Op verzoek kunnen strengere elektrische gegevens worden verstrekt. |
|||||||
|
VLAKHEID |
|||||||
|
Oppervlak |
2" |
3" |
4" |
||||
|
Gepolijst/geëtst |
TTV(μm) |
<10 |
<10 |
<15 |
|||
|
Boog (μm) |
<8 |
<8 |
<10 |
||||
|
Afwijking (μm) |
<12 |
<12 |
<15 |
||||
|
Gepolijst/gepolijst |
TTV(μm) |
<5 |
<5 |
<5 |
|||
|
Boog (μm) |
<5 |
<5 |
<5 |
||||
|
Afwijking (μm) |
<8 |
<8 |
<10 |
||||
Populaire tags: 2", 3" en 4" indiumarsenidewafel, China 2", 3" en 4" indiumarsenidewafelfabrikanten, leveranciers, fabriek
